国科光领获得宽波长电吸收调制激光器芯片专利大幅度的下降集成芯片的功耗

  国家知识产权局信息数据显现，武汉国科光领半导体科技有限公司获得一项名为“一种宽波长电吸收调制激光器芯片”的专利，授权公告号CN223599237U，请求日期为2024年12月。

  专利摘要显现，本实用新型触及激光芯片技术领域，详细触及一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备办法和使用。本实用新型供给的宽波长电吸收调制激光器芯片包含衬底、榜首调制器层、榜首前光栅层、榜首增益层、榜首相层、后光栅层、第二相层、第二增益层、第二前光栅层、第二调制器层、取样光栅、包层、电触摸层、电阻隔沟、P面电极和N面电极。取样光栅设置在榜首前光栅层、后光栅层与第二前光栅层内。在所有功用层上方，顺次堆叠有包层与电触摸层，各功用层之间设置有电阻隔沟，电触摸层的上方设有P面电极，衬底下方设有N面电极。该芯片使用同一个后取样光栅反射区，完成同一集成芯片双端出光，速率和波长调谐功能翻倍的作用，大幅度的下降集成芯片的功耗。

  天眼查资料显现，武汉国科光领半导体科技有限公司，成立于2023年，坐落武汉市，是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册资本1422.5184万人民币。经过天眼查大数据分析，武汉国科光领半导体科技有限公司参加招投标项目4次，产业线条，此外企业还具有行政许可3个。

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