飓芯科技请求削减半导体激光芯片漏电流专利下降激光器的阈值电流

  国家知识产权局信息数据显现，广西飓芯科技有限责任公司请求一项名为“一种半导体激光芯片”的专利，公开号CN121355699A，请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现，本发明触及一种半导体激光芯片，由下至上依次为包含衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、耗尽区调理层、绝缘层、P面电极，所述耗尽区调理层坐落P型半导体层和绝缘层之间。该半导体激光芯片经过设置耗尽区调理层为金属层，而且耗尽区调理层的功函数小于P型半导体层的功函数，耗尽区调理层与P型半导体层的连接区为肖特基触摸区，使用肖特基触摸的电压调理机制，经过对耗尽区调理层加电压作用于触摸界面时，势垒高度变大，增大耗尽区的规模，能够将空穴的活动鸿沟与触摸界面的鸿沟摆开，更好的约束空穴溢出，下降激光器的漏电流，从而下降激光器的阈值电流，进步激光器的发光功率。

  天眼查资料显现，广西飓芯科技有限责任公司，成立于2020年，坐落柳州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本10300万人民币。经过天眼查大数据分析，广西飓芯科技有限责任公司参加招投标项目10次，专利信息26条，此外企业还具有行政许可19个。

  声明：商场有危险，出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成，仅供参考，不构成个人出资主张。