星汉激光请求半导体结构及其制备办法、半导体激光器专利改进了结构的光谱纯度

  国家知识产权局信息数据显现，深圳市星汉激光科技股份有限公司请求一项名为“半导体结构及其制备办法、半导体激光器”的专利，公开号CN121055151A，请求日期为2025年10月。

  专利摘要显现，本请求供给半导体结构及其制备办法、半导体激光器，触及激光器的范畴。半导体结构包含衬底、榜首波导层、谐振结构和第二波导层；榜首波导层设置于衬底沿厚度方向的外表；谐振结构包含有源区、输入层和输出层，有源区、输入层和输出层设置于榜首波导层违背衬底的一侧；在平行于所述衬底地点平面内，输入层和输出层坐落有源区的两边，输出层歪斜设置，在远离衬底的方向上，输出层远离输入层；第二波导层设置于谐振结构远离榜首波导外表，第二波导层衔接谐振结构。本请求可以减小反射光和FP腔内光场之间发生干与效应的可能性，使得半导体结构的纵模输出更安稳，改进了半导体结构的光谱纯度。

  天眼查资料显现，深圳市星汉激光科技股份有限公司，成立于2017年，坐落深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5555.5556万人民币。经过天眼查大数据分析，深圳市星汉激光科技股份有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目19次，产业线条，此外企业还具有行政许可17个。

  声明：商场有危险，出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成，仅供参考，不构成个人出资主张。